ROHM SiC MOSFET 獲 AI 伺服器 BBU 採用，助力 HVDC 電源架構
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AI 摘要（NQ 加工版）
ROHM (京都市) 的 750V 耐壓 SiC MOSFET「SCT4013DLL」已獲 AI 伺服器電池備用單元 (BBU) 採用。在 AI 伺服器電源高壓化趨勢下，該產品憑藉對 HVDC 架構的支持而脫穎而出。
AI 分析
常見問題
- Q: 今回採用されたロームの製品は何ですか？
- A: 750V耐圧のSiC MOSFET「SCT4013DLL」です。
- Q: なぜAIサーバーのBBUにSiC MOSFETが必要なのですか？
- A: 生成AIの普及による電力需要の増大に対応するため、高電圧なHVDCアーキテクチャへの移行が進んでおり、高耐圧・低損失・高温耐性に優れたデバイスが求められているためです。
- Q: 「SCT4013DLL」の特長は何ですか？
- A: 最大ジャンクション温度（Tj）175℃という高い温度耐性を備え、高電圧・高電力密度化するBBUでも安定した動作が可能です。
- Q: 800VDC電力供給アーキテクチャにも対応していますか？
- A: はい、バッテリーパックの電源電圧が約560Vであるため、同じく750V耐圧モデルのSCT4013DLLが使用可能です。
- Q: ロームのEcoSiC™ブランドとは何ですか？
- A: SiC（シリコンカーバイド）素材を採用したパワーデバイスのブランドで、素材からパッケージングまでの一貫生産体制を構築しています。