高溫時導通電阻降低約30%！第五代SiC MOSFET開發成功
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AI 摘要（NQ 加工版）
羅姆股份有限公司開發出第五代SiC MOSFET，在高溫時實現了約30%的導通電阻降低。這是半導體技術的一項重大進展，有助於提高電源效率。
羅姆股份有限公司開發出第五代SiC MOSFET，在高溫時實現了約30%的導通電阻降低。這是半導體技術的一項重大進展，有助於提高電源效率。