成功在6英寸矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜
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AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix株式會社與株式會社JTEKT Thermo System合作，成功開發出兼容6英寸基板的新型沉積設備，並在6英寸矽晶圓上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜。這標誌著在實現功率器件量產所需的大直徑基板方面邁出了重要一步，目標是2027年進行樣品試製。