成功在矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)單晶薄膜
NQ 評分
0/100
N1 內容完整性
5
AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix株式會社與株式會社JTEKT THERMO-SYSTEM共同開發並製造了6英寸兼容的新型薄膜沉積設備，成功在矽基板上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)的單晶薄膜。這項成就為實現低成本、高性能的垂直功率器件奠定了基礎。