成功在6英寸矽基板上沉積金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜
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AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix株式會社與株式會社JTEKT Thermo System合作，成功開發出兼容6英寸基板的新型沉積設備，並在6英寸矽晶圓上沉積了下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺(r-GeO₂)薄膜。這標誌著在實現功率器件量產所需的大直徑基板方面邁出了重要一步，目標是2027年進行樣品試製。
AI 分析
常見問題
- Q: 專門開發下一代功率半導體材料的Patentix股份有限公司，在2026年5月13日宣布了什麼最新研發成果？
- A: Patentix股份有限公司宣布與JTEKT Thermo System股份有限公司合作，成功開發出兼容6英寸基板的新型沉積設備，並在6英寸矽晶圓上成功沉積了金紅石型二氧化鍺薄膜。
- Q: 為什麼下一代功率半導體材料金紅石型二氧化鍺在節能應用上，會比現行的碳化矽與氮化鎵更具有優勢？
- A: 因為金紅石型二氧化鍺具有高達4.68電子伏特的帶隙，這個數值比碳化矽與氮化鎵還要更大，因此被預期能夠有效減少功率轉換過程中所伴隨的能量損耗。
- Q: 傳統的PhantomSVD法在製作金紅石型二氧化鍺薄膜時，面臨了什麼樣的尺寸限制而難以直接導入量產？
- A: 傳統的PhantomSVD法由於設備與沉積方法的物理限制，最多只能在20毫米見方的小片基板上沉積薄膜，無法滿足功率元件量產線所必需的6英寸以上大尺寸要求。
- Q: 為了克服大尺寸基板沉積的技術瓶頸，兩家合作開發公司在新型設備中採用了哪一種自主開發的沉積技術？
- A: 為了實現大直徑基板的沉積，Patentix股份有限公司開發了名為煙囪法的全新沉積技術，並以此為基礎與位於奈良縣天理市的熱處理設備商合作製造出相容設備。
- Q: 研發團隊計畫在什麼時候進行6英寸矽基板金紅石型二氧化鍺薄膜的樣品試製，且該項專案獲得了什麼官方資金支援？
- A: 研發團隊計畫在2027年進行該薄膜基板的樣品試製，且此計畫的部分成果是在令和7年度滋賀縣中小企業新技術開發項目補助金的支援下所實施的。