成功驗證溝漕型r-GeO₂ MOSFET的電晶體運作
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AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix成功驗證了使用下一代功率半導體材料r-GeO₂製造的MOSFET的運作。
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常見問題
- Q: 什麼是r-GeO₂？
- A: 金紅石型二氧化锗（r-GeO₂）是一種下一代功率半導體材料，其帶隙（4.68 eV）比碳化矽（SiC）或氮化鎵（GaN）更大，理論上預測其同時具備p型和n型導電性。
- Q: 這次的成果重點是什麼？
- A: 成功利用備受矚目的下一代功率半導體材料r-GeO₂製造出溝漕型MOSFET，並成功驗證了其電晶體運作。這是未來實現增強型MOSFET的重要成果。
- Q: 未來的展望是什麼？
- A: 未來計劃確立p型r-GeO₂的製造技術，並推進應用該技術的增強型MOSFET運作驗證相關研究。