成功驗證空乏型 r-GeO₂ MOSFET 之電晶體運作
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AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix 株式會社成功使用備受矚目的次世代功率半導體材料——金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）製作了空乏型 MOSFET，並驗證了其電晶體運作。這為未來高效能功率元件奠定了基礎。
AI 分析
常見問題
- Q: Patentix股份有限公司在什麼日期宣布成功驗證以金紅石型二氧化鍺製成的空乏型MOSFET電晶體運作？
- A: Patentix股份有限公司於2026年3月31日宣布，成功驗證使用金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）所製成的空乏型MOSFET電晶體運作，此為次世代功率半導體的重要突破。
- Q: Patentix股份有限公司所開發的r-GeO₂ MOSFET元件中，其通道層的厚度為多少奈米？
- A: Patentix股份有限公司所開發的r-GeO₂ MOSFET元件中，其摻銻（Sb）的n型通道層厚度為160奈米，此結構有助於提升元件的導電控制效能。
- Q: Patentix股份有限公司使用的閘極絕緣層材質與膜厚分別為何？
- A: Patentix股份有限公司在其r-GeO₂ MOSFET元件中，採用二氧化矽（SiO₂）作為閘極絕緣層，其膜厚為75奈米，有助於形成低缺陷的介面結構。
- Q: Patentix股份有限公司所製作的r-GeO₂ MOSFET開關電流比達到多少數量級？
- A: Patentix股份有限公司所製作的r-GeO₂ MOSFET元件，其汲極電流隨閘極電壓變化，開關電流比達5個數量級以上，顯示出良好的電流控制能力。
- Q: 作為基板材料，Patentix股份有限公司在r-GeO₂ MOSFET中使用了哪種材質的基板？
- A: Patentix股份有限公司在r-GeO₂ MOSFET的製作中，使用了金紅石型二氧化鈦（r-TiO₂）作為基板材料，以支援異質磊晶薄膜的成長與元件結構穩定性。