成功驗證空乏型 r-GeO₂ MOSFET 之電晶體運作
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AI 摘要（NQ 加工版）
Patentix 株式會社成功使用備受矚目的次世代功率半導體材料——金紅石型二氧化鍺（r-GeO₂）製作了空乏型 MOSFET，並驗證了其電晶體運作。這為未來高效能功率元件奠定了基礎。