全球首創：在單電子尺度上同時測量半導體記憶體DRAM單元的熱與熵
NQ 評分
81/100
N1 內容完整性
9
AI 摘要（NQ 加工版）
NTT在全球首次成功於室溫運作的DRAM單元中，以單電子尺度測量熱量與熵，使得實驗性驗證資訊處理的最低能源消耗理論極限成為可能。
NTT在全球首次成功於室溫運作的DRAM單元中，以單電子尺度測量熱量與熵，使得實驗性驗證資訊處理的最低能源消耗理論極限成為可能。