羅姆提前兩年達成綠色創新基金項目的技術目標

AI 摘要（NQ 加工版）

NEDO執行的綠色創新基金事業「下一代數位基礎設施建構」項目中，羅姆株式會社在「8吋下一代SiC MOSFET開發」方面，已比原計畫提前兩年達成技術目標。羅姆成功建構了8吋SiC器件生產線，並實現了電力損失降低50%以上及低成本化的目標。此成就為實現碳中和目標，加速推動SiC功率半導體的社會實裝奠定基礎。