羅姆提前兩年達成綠色創新基金項目的技術目標
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AI 摘要（NQ 加工版）
NEDO執行的綠色創新基金事業「下一代數位基礎設施建構」項目中，羅姆株式會社在「8吋下一代SiC MOSFET開發」方面，已比原計畫提前兩年達成技術目標。羅姆成功建構了8吋SiC器件生產線，並實現了電力損失降低50%以上及低成本化的目標。此成就為實現碳中和目標，加速推動SiC功率半導體的社會實裝奠定基礎。
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常見問題
- Q: 羅姆公司在綠色創新基金項目中，提前達成技術目標的具體項目是什麼？
- A: 羅姆公司在「下一代功率半導體器件製造技術開發」項目中，負責「8吋下一代SiC MOSFET開發」，並提前達成了技術目標。
- Q: 羅姆公司達成技術目標的關鍵技術有哪些？
- A: 羅姆公司確立了適用於8吋SiC晶圓的外延生長技術及低導通電阻技術，並整合這些關鍵技術建構了8吋SiC器件生產線。
- Q: 本次成果中，8吋SiC器件的電力損失降低了多少？
- A: 與傳統Si IGBT器件相比，本次成果確認可將電力轉換器的電力損失降低50%以上，達成了技術目標。
- Q: 為何羅姆公司會將研發提前推進，以期儘早達成技術目標？
- A: 由於預計今後全球對SiC功率半導體的需求將持續擴大，羅姆公司強烈意識到必須著眼於市場，儘早確立具有競爭力的技術。
- Q: 綠色創新基金事業「下一代數位基礎設施建構」項目的主要目標是什麼？
- A: 該項目旨在提高下一代功率半導體（SiC、GaN）的性能和效率，實現轉換器等電力損失50%以上的降低，以及達到與Si功率半導體同等的低成本化，進一步促進早期普及。