本公司以能製造大型高純度單晶鑽石為主要優勢,至今已銷售用於鑽石元件開發的基板、晶圓、外延基板,以及培育鑽石(Laboratory Grown Diamond:LGD,人造寶石)製造用種晶、光學元件等。為了製造適合各種應用的鑽石材料,自創業以來我們持續專注於大型結晶的開發,並於本次宣布推出各種尺寸的低氮含量基板與晶圓。 1.前言 鑽石具有優異的半導體特性,預期可應用於大功率控制用功率元件及高頻高功率元件。此類應用預計將以大型晶圓製造,本公司自設立以來即致力於鑽石單晶的大型化,並於2025年4月將1吋晶圓產品化。然而,至今產品化的鑽石單晶,除部分外,氮含量最高可達8ppm。在半導體元件開發中,高氮含量有時會阻礙廣泛應用,因此許多用戶要求低氮含量的鑽石基板。 本公司雖已推出氮含量在0.5ppm以下的(111)基板,但對於元件開發中最常使用的(100)基板,則尚未銷售低氮基板。這是因為在鑽石成長過程中,反應氣體中含有少量氮氣有助於穩定成長,抑制多晶體等缺陷的生成,並提高成長速度,此為製造上的考量。因此,我們一直以來都提供含有一定氮含量的材質作為產品,以確保穩定的特性。 另一方面,隨著鑽石元件開發日益多元化,為滿足這些開發需求,準備符合其材質的基板與晶圓,已成為本公司重要的課題。本次,為因應這些市場需求,我們將低氮基板與晶圓產品化。 2.新產品內容 用於鑽石元件開發的基板、晶圓 [照片1] 尺寸:1x1mm~30x30mm、1吋晶圓 厚度:0.03~4mm 結晶面:(100)、(110)、(111) 若未指定,則具有3°的偏角。 (111) 、(110)面基板尺寸有限制。 氮含量:0.5ppm以下 3.應用 作為對應功率元件及高頻元件等的基板,可與以往相同使用。由於氮含量較低,作為偽n型的特性會降低,但另一方面,耐壓特性與以往產品同等。此外,在量子元件相關開發中,與以往產品相比,N-V中心的含量會較低。 若作為光學元件使用,在500nm以下的波長範圍內,穿透率有所提升,藍光及紫外線的穿透性已獲得改善。 其他特性方面,熱導率為2000W/m·K,可與以往基板相同的方式進行操作。 照片1:10x10mm及15x15mm基板的照片 ■關於此事的諮詢窗口 株式會社EDP 營業部 〒560-0085 大阪府豐中市上新田4-6-3 (電子郵件)edp.info@d-edp.jp HP:https://www.d-edp.jp/