FLOSFIA株式會社在JST支援下開發下一代功率半導體，旨在減少電力損耗並降低成本
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AI 摘要（NQ 加工版）
FLOSFIA株式會社在JST的支援下，正開發利用α型氧化鎵的下一代功率半導體。此舉旨在實現世界頂級的低損耗和高耐壓，同時透過其專有的「MistDry®法」降低成本。目標是提高AI數據中心和電動汽車等各種應用中的電力轉換效率，為節能和減少二氧化碳排放做出貢獻。