TMH 株式会社（以下简称「TMH」，总公司：大分县大分市，代表董事社长：榎并大辅）与 Patentix 株式会社（以下简称「Patentix」，总公司：滋贺县草津市，代表董事社长：衣斐豊祐）特此宣布，双方已通过 TMH 对 Patentix 的投资，创建旨在实现次世代功率半导体材料实用化的战略合作伙伴关系。 随着 AI 的快速发展和数据处理量的增加，半导体正逐渐转变为社会基础设施本身。同时，在以数据中心和移动领域为主的电力消耗增加成为课题的背景下，人们对能够大幅提高电力效率的次世代功率半导体材料寄予厚望。 Patentix 正在推进研究开发的 r-GeO₂ 作为能够应对这些课题的新材料而备受瞩目。两家公司将通过本次合作伙伴关系，推进发挥各自优势的合作。 合作伙伴关系的背景与目的 TMH 以实现「不停产制造」为宗旨，通过利用电子商务平台提供半导体制造设备、零件采购与维修服务，以及利用工程技术销售半导体制造设备，一直以来都支持着半导体制造现场的稳定运作。 半导体产业中的「停产风险」不仅限于设备和零件等操作层面。电力效率和材料特性等更上游技术领域所引起的结构性课题，也是影响制造持续性的重要因素。TMH 认为，为了在中长期实现「不停产制造」，除了维持供应链之外，参与支持制造进步的尖端技术领域也至关重要。 在中长期愿景「Vision1000（以销售额 1000 亿日圆为目标的计划）」中，对尖端领域的投资和合作伙伴关系也被定位为业务成长的重要战略之一，本次合作即是其具体实践。 另一方面，Patentix 作为源自立命馆大学的深度科技新创公司，一直以来都在推进次世代功率半导体材料 r-GeO₂ 的研究开发。为了加速 r-GeO₂ 的实用化，不仅材料研究，关于半导体制造制程和量产化的实践知识也必不可少。Patentix 认为，与 TMH 所拥有的制造现场知识和供应链网络的合作，将成为推动 r-GeO₂ 社会实践的力量。 由于双方对这些课题的认识和期望一致，因此促成了本次合作伙伴关系的创建。 关于 Patentix 的技术 在功率半导体领域，作为取代硅（Si）的次世代材料，碳化硅（SiC）和氧化镓（Ga₂O₃）等的研究和社会实践的探讨一直在进行。尽管 SiC 已实现 p 型和 n 型两种导电方式，但在以 Ga₂O₃ 为首的具有更宽能带间隙的材料群中，实现器件设计不可或缺的 p 型掺杂仍然是一个重大课题。 如果无法实现 p 型和 n 型两种导电方式，不仅会限制电路设计的自由度，还会对电力转换效率和设备小型化造成限制。 Patentix 正在推进研究开发的金红石型二氧化锗（r-GeO₂）是作为解决此课题的有力方案而备受瞩目的新材料。其能带间隙约为 4.68 eV，与 Ga₂O₃ 相当，具有超宽能带间隙，同时理论上可实现 p 型和 n 型两种导电方式。此外，据称其热导率和电子迁移率均优于 Ga₂O₃，在作为功率器件的综合性能指针（Baliga 品质因数）方面，也显示出超越现有材料的可能性。 Patentix 不仅成功利用独特的薄膜生长技术「Phantom SVD 法」制备 r-GeO₂ 薄膜，更于 2024 年全球首次成功验证了使用 r-GeO₂ 单晶薄膜的肖特基势垒二极管（SBD）的运作，稳步累积了实现实用化的技术里程碑。 两家公司的角色与未来展望 通过本次合作伙伴关系，TMH 所拥有的半导体制造现场知识和供应链网络将与 Patentix 的尖端材料技术结合，加速次世代功率半导体实用化的进程。 TMH 将利用其在半导体制造现场的零件采购、设备运作知识以及国内外供应链网络，为 r-GeO₂ 的应用开发和量产化相关的实践性课题整理做出贡献。 Patentix 将利用其在 r-GeO₂ 材料技术和器件设计方面的专业知识，推进次世代功率半导体的技术开发和社会实践。 两家公司将共同推进次世代材料实用化的课题整理和应用开发，并为整个半导体供应链的升级做出贡献。 投资概要 Patentix 株式会社实施了总额 149,997,600 日圆的第三方配股增资，TMH 认购了其中一部分。本次投资旨在创建两家公司之间的战略合作伙伴关系。 两家公司将通过本次投资强化合作，发挥各自优势，推进次世代功率半导体材料实用化的工作。 Patentix 株式会社 总公司：滋贺县草津市 代表董事社长：衣斐豊祐 设立：2022年12月（立命馆大学新创公司） 业务内容：金红石型二氧化锗（r-GeO₂）半导体基板及功率器件的研究开发、制造、销售 网址： https://www.patentix.co.jp/ 株式会社TMH 总公司：大分县大分市 代表董事社长：榎并大辅 业务内容：利用工程技术销售二手半导体制造设备，营运电子商务平台「LAYLA-EC」提供零件销售与维修服务 网址： http