株式会社TMH（以下简称「TMH」，总部：大分县大分市，代表取缔役社长：榎并大辅）与Patentix株式会社（以下简称「Patentix」，总部：滋贺县草津市，代表取缔役社长：衣斐豊祐）宣布，通过TMH对Patentix的投资，双方已就次世代功率半导体材料的实用化创建战略合作伙伴关系。 随着AI的快速发展与数据处理量的大幅增加，半导体正逐渐转变为社会基础设施本身。同时，以数据中心和移动领域为中心的电力消耗增加成为一项挑战，人们对能大幅提升电力效率的次世代功率半导体材料的期望也日益高涨。 Patentix正在研发的r-GeO₂作为能应对这些挑战的新材料备受瞩目。双方将通过此次合作，发挥各自优势推动协同发展。 合作背景与目的 TMH以实现「不停止的制造」为目标，通过活用电商平台的半导体制造设备与零件采购、维修服务，以及运用工程技术销售半导体制造设备，持续支持半导体制造现场的稳定运作。 半导体产业中的「停工风险」不仅限于设备或零件等营运领域。源于电力效率及材料特性等更上游技术领域的结构性问题，也是左右制造持久性的重要因素。TMH认为，为了在中长期内实现「不停止的制造」，除了维持供应链外，参与支撑制造进化的尖端技术领域也至关重要。 在中长期愿景「Vision1000（以达成1000亿日圆营收为目标的计划）」中，对尖端领域的投资与合作被定位为促进事业成长的重要战略之一，而本案正是该战略的具体落实。 另一方面，Patentix作为源自立命馆大学的深科技新创企业，一直致力于次世代功率半导体材料r-GeO₂的研发。为了加速r-GeO₂的实用化，不仅需要材料研究，对于半导体制造流程与量产化的实务知识也不可或缺。Patentix认为，与TMH所拥有的制造现场知识及供应链网络进行合作，将成为推动r-GeO₂落实于社会的力量。 正是基于双方对这些课题的共识与期望的契合，促成了此次合作伙伴关系的创建。 关于Patentix的技术 在功率半导体领域，碳化硅（SiC）和氧化镓（Ga₂O₃）等作为取代硅（Si）的次世代材料，其研究与社会应用探讨正不断推进。虽然SiC已实现p型和n型双向导电，但对于包含Ga₂O₃在内具有更宽能隙的材料群而言，实现组件设计所不可或缺的p型掺杂依然是一个重大挑战。 若无法实现p型与n型双向导电，不仅会限制电路设计的自由度，也会对电力转换效率及设备的小型化造成制约。 Patentix正在研发的金红石型二氧化锗（r-GeO₂）作为解决此课题的有力方案，是备受关注的新材料。其能隙约为4.68 eV，拥有媲美Ga₂O₃的超宽能隙，且在理论上可实现p型与n型的双向导电。此外，据称其拥有超越Ga₂O₃的热传导率与电子移动率，在功率半导体领域极具潜力。