意法半导体（NYSE：STM，以下简称ST）宣布推出两款新型高速半桥闸极驱动器，可在广泛的电源与运动控制应用中，实现GaN（氮化镓）的卓越效率、散热性能与微型化。 「STDRIVEG212」和「STDRIVEG612」分别可在高达220V和600V的高侧电压下运行，并为增强型GaN HEMT提供严格控制的5V闸极驱动信号。两款产品均将高侧/低侧5V线性稳压器（LDO）、高侧自举二极管以及欠压锁定（UVLO）等保护功能集成于紧凑的QFN封装中。 通过集成快速启动的电压稳压器，可稳定驱动器的输出电压，实现精确的闸极控制。此外，还内置了比较器，在检测到过电流时会关闭两个GaN HEMT。智能关断（smartSD）功能会自动维持关闭状态直到充分冷却，并可从故障引脚获取过电流、过热和UVLO的报告。 两款产品的特点在于能将GaN技术的优势最大化，特别是在运动控制等硬切换应用中。高侧与低侧之间的传播延迟时间被严格匹配在仅50ns以内，并能承受5µs的高侧启动时间和±200V/ns的dV/dt瞬态电压，从而允许提高旋转速度。 内置的LDO具有大电流容量，并为灌电流（sink）和拉电流（source）侧提供独立的路径（灌电流侧最高1.8A / 1.2Ω，拉电流侧0.8A / 4.0Ω）。这种闸极驱动器的输出架构允许电路设计人员分别设置导通和关断时的阻抗，从而优化各自的dV/dt和dI/dt。这消除了对关断二极管的需求。因此，可以减少组件数量、降低闸极回路电感、通过增加裕度来加快关断速度，并防止不必要的感应导通。 两款产品均配备可承受高达20V的逻辑输入引脚，以及可抑制停止期间功耗的专用关断引脚，从而简化了系统设计与集成。此外，兼容这两款产品的评估板「