株式会社Resonac（代表取缔役社长CEO：髙桥秀仁，以下简称Resonac）与一般财团法人电力中央研究所（理事长：平岩 芳朗，以下简称电力中央研究所）共同开发的「功率半导体用高品质SiC磊晶晶圆（epi-wafer）高生产率制造技术」，荣获公益财团法人市村清新技术财团主办的第58届市村产业奖「贡献奖」。 这项技术实现了SiC（碳化硅）磊晶晶圆的高品质与高生产率，SiC作为下一代功率半导体材料备受瞩目。Resonac以与电力中央研究所的共同研究为基础，通过与设备制造商的技术合作，以及采纳设备制造商等客户的评估和反馈，与各种合作伙伴共同创造，推进了开发。预计将有助于电动车（EV）、数据中心电源、铁路、电力控制设备等领域的节能和高效率化。 ■ 获奖技术概要 在应对全球暖化、要求减少CO₂排放的同时，由于能源电气化和AI扩张等因素，全球电力需求预计将增加。在此背景下，提高电力转换效率的功率半导体的重要性日益增加，而SiC（碳化硅）功率半导体因其超越传统硅（Si）物理极限的特性而受到关注。然而，其普及面临SiC磊晶晶圆（在SiC基板上沉积SiC磊晶膜的晶圆）品质提升和成本降低的挑战。 Resonac和电力中央研究所针对这一挑战，开发了一种同时实现SiC磊晶膜高品质和高生产率的制造技术。传统上，在成膜过程中，设备内部产生的副产物（沉积物）作为颗粒落到基板上，导致磊晶膜表面缺陷。本技术通过旨在提高品质的技术开发，实现了以下四点： ① 通过从根本上抑制此现象的设备设计，减少表面缺陷。 ② 创建了显著减少从基板传播的内在缺陷——基底面转位（BPD）的界面控制工艺技术。 ③ 利用高精度检测表面缺陷和基底面转位的量产检测技术，定量掌握量产中缺陷产生的原因，从而实现量产水平的稳定低缺陷化。 ④ 通过高温搬运和低热容量化，缩短升降温时间，提高生产率。 SiC磊晶晶圆 传统技术与本技术的缺陷图 ■ 技术效果与未来展望 本技术提高了SiC功率组件的初始电气特性良率和长期可靠性，有助于降低组件成本，并确保汽车和铁路应用所需的高可靠性。这将促进SiC在功率组件领域的应用，为电动车（EV）带来续航里程的提升（电费改善），并为数据中心电源设备、铁路和再生能源并网带来显著的节能效果。 未来，除了这些领域，预计通过扩大应用于处理更大容量电力的电力控制设备等，将有助于电力基础设施的升级和能源利用效率的提高。Resonac将继续通过SiC相关技术的精进和稳定供应，为实现永续社会做出贡献。 ■ 关于市村产业奖 市村产业奖是由公益财团法人市村清新技术财团主办的表彰制度，旨在表彰通过优秀国产技术的研究开发及其应用，为产业发展和解决社会问题做出贡献的技术人员和研究人员。该奖项于1969年设立，表彰支持日本制造业的创新技术及其在社会实践中的重大贡献。 (市村产业奖官方网站) https://www.sgkz.or.jp/prize/industry/ 以上 【关于Resonac】 Resonac是一家功能性化学制造商，业务涵盖半导体・电子材料、移动出行、创新材料、化学品等，拥有从中游到下游广泛的材料・尖端材料技术。该公司于2023年1月由昭和电工和前日立化成合并成立。公司名称「Resonac」是英文「RESONATE：共鸣・响彻」与化学「Chemistry」中的「C」的组合。Resonac作为一家「共创型化学公司」，旨在通过共创实现永续增长和提升企业价值。2025财年的销售额预计约为1.3兆日元，其中海外销售额占57%，在全球20多个国家和地区设有制造・销售据点（截至2026年1月）。详情请参阅网站。 关键字: