Patentix株式会社 2026年4月6日 【概要】 Patentix株式会社（总部：滋贺县草津市，代表董事社长：衣斐丰祐，以下简称「Patentix」）是一家源自立命馆大学的新创企业，主力事业为研发与制造次世代功率组件所需的超宽能隙（UWBG）半导体材料「二氧化锗（GeO2）」。 本次在A1轮（A轮的延伸）中，本公司从以下企业与机构筹集了总额约1亿5,000万日圆的资金。自2022年12月创立以来的累计融资金额已达12亿900万日圆。 【投资人】 三菱UFJ资本株式会社、株式会社TMH ※依出资金额、五十音顺序排列 【融资目的与资金用途】 通过本次融资，Patentix将进一步加速其研发进程。 【背景与未来展望】 随着全球电动车（EV）的普及与AI数据中心的激增，提高电力消费效率已成为当务之急。在这样的背景下，市场对超越传统半导体极限的超宽能隙（UWBG）半导体的期望达到了前所未有的高度。 特别是二氧化锗（GeO2），由于它能实现其他次世代材料难以达成的「p型与n型双向控制」，且具备高度的成本竞争力，正迅速成为次世代功率半导体的热门焦点。 自2022年12月创立以来，Patentix在种子期已稳步累积了确认n型掺杂与成功证实萧特基二极管运作等研究成果。通过这次A1轮（A轮延伸）的融资，本公司将从「基础研究阶段」大幅转向「实用化开发阶段」。未来我们将全面强化制造体制并加速样品出货，目标是放眼于车用、电力基础设施甚至太空产业等严苛环境下的应用，推动这项源自日本的创新组件迈向社会普及。 【代表致辞】 我非常高兴能够顺利完成A轮的延伸回合（A1轮）。通过这次的资金挹注，我们将进一步巩固研发体制，并加速6吋GeO2半导体晶圆及GeO2功率组件的开发。为了让GeO2半导体能早日实现社会应用，整个团队将团结一致，持续推动创新。 Patentix株式会社 代表董事社长兼CEO 衣斐丰祐 【各投资人评语】 【三菱UFJ资本株式会社】 由Patentix主导的次世代半导体材料二氧化锗（GeO2），是能够贡献于实现碳中和与节能社会的重要技术之一，是一项极具潜力的科技。去年夏天，他们成功在硅基板上制成金红石型二氧化锗（r-GeO2）薄膜，为廉价提供次世代半导体材料开辟了道路。我们对其未来的巨大发展与成长抱有高度期待。 【株式会社TMH】 本公司所倡导的『不间断的制造』，若没有与能进化制造本身的尖端技术合作，仅靠设备与零件的稳定供应是无法实现的。Patentix株式会社正在研发的r-GeO2是一项能解决功率半导体根本性课题的技术，正因为我们长期支持制造现场，我们深信其投入实用的重大意义。我们将充分发挥在半导体制造现场的专业知识与供应链网络，与Patentix携手推动次世代功率半导体的社会应用。 【公司简介】 公司名称：Patentix株式会社 成立时间：2022年12月1日 代表人：衣斐丰祐（代表董事社长） 所在地：滋贺县草津市野路东1丁目1番1号 立命馆大学BKC