成功验证沟漕型r-GeO₂ MOSFET的晶体管运作
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常見問題
- Q: 什么是r-GeO₂？
- A: 金红石型二氧化锗（r-GeO₂）是一种下一代功率半导体材料，其带隙（4.68 eV）比碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）更大，理论上预测其同时具备p型和n型导电性。
- Q: 这次的成果重点是什么？
- A: 成功利用备受瞩目的下一代功率半导体材料r-GeO₂制造出沟漕型MOSFET，并成功验证了其晶体管运作。这是未来实现增强型MOSFET的重要成果。
- Q: 未来的展望是什么？
- A: 未来计划确立p型r-GeO₂的制造技术，并推进应用该技术的增强型MOSFET运作验证相关研究。