（中央社记者 张建中 新竹14日电）近来英特尔、三星技术提升抢单消息不断，台积电今天在台湾技术论坛上不仅宣布推出3项先进制程，包括A13、A12及N2U，今年也将量产全球最大尺寸的CoWoS，良率高于98%，全面展现技术领先决心，并将快速扩充先进制程与先进封装产能，支持客户强劲需求，用技术领先辗压对手。 台积电台湾技术论坛今天在新竹喜来登大饭店登场，台积电全球业务资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强表示，过去10年半导体成长动能主要来自手机，预期未来动能将来自人工智能（AI），预期2030年全球半导体产值可望达到1.5兆美元规模，其中AI及高性能计算将贡献最大，比重达55%；亚太业务处长万睿洋则说，台积电去年亚太地区客户使用超过210万片12吋约当晶圆，垂直堆栈高度约1600公尺，超过3座台北101大楼。 英特尔（Intel）与三星（Samsung）近日传出在晶圆代工和先进封装接单上获得突破性进展，恐打破台积电先进技术独步全球局面，这也让今天台湾登场的技术论坛格外引人瞩目，市场高度关注台积电先进制程与先进封装技术进展和产能扩充情况。 台积电业务开发副总经理袁立本表示，台积电持续推出领先业界技术，并强化现有平台，支持客户需求，今年推出3项先进制程，包括A13、A12及N2U。 他指出，A13制程是A14制程的增强版，会让台积电在埃米世代持续技术领先，预计2029年量产。A12制程则会把背面供电技术导入A14制程平台，实现更好性能、功耗与面积效益，同样将于2029年量产。 袁立本表示，台积电2纳米制程于去年第4季量产，并持续进展，包括N2P、N2X 以及最新推出的N2U，N2P将于今年下半年量产，N2X预计2028年量产。N2U是基于N2P技术进一步优化，提供更好的能效与速度，将于2028年量产。 袁立本说，台积电已收到约25个2纳米产品设计定案，另有超过70个客户设计正在规划或进行中。AI、高性能计算（HPC）与手机应用加速采用2纳米，2纳米第2年的设计定案数量约为5纳米同期的4倍。 至于先进封装方面，袁立本表示，台积电今年将量产全球最大的5.5倍光罩尺寸 CoWoS，且良率高于98%。未来5年CoWoS 将持续每年放大尺寸发展，集成更多逻辑与高带宽内存（HBM）晶粒。 袁立本指出，台积电预计2028年开始生产集成20个HBM的14倍光罩尺寸CoWoS，可集成24个HBM、大于14倍光罩尺寸的CoWoS版本预计2029年就绪。 台积电营运副总经理田博仁说，台积电2纳米已进入量产，学习曲线优于3纳米，将逐步进入大家的生活中。A16如期于2026年下半年量产。 为支持客户不断增长的创新需求，田博仁表示，台积电以过去2倍的速度加速晶圆厂扩建，并在全球创建新厂房。此外，在新产能开出前，台积电持续利用数字化转型以及AI驱动的技术，提高先进制程产出，支持客户紧急需求。 田博仁指出，台积电2026年同时启动5座晶圆厂，快速提升2纳米产能，估计第1年2纳米晶圆产出将较同期3纳米产出高出45%，2026年到2028年2纳米产能年复合成长率将达70%。 此外，台积电3及5纳米产能于2022到2027年复合成长率也将达25%，支持客户强劲需求。田博仁说，台积电克服地理限制，将3纳米、5纳米及7纳米厂区串联成Super Giga Fab，利用AI实现跨厂区优化，最大幅度提高生产力。 田博仁表示，台积电CoWoS和SoIC产能自2022年至2027年复合成长率将超过80%。（编辑：林淑媛）1150514