（中央社记者吴家豪台北23日电）由硅谷台裔创业家许富菖创立的内存设计公司NEO Semiconductor今天宣布，新一代内存技术3D X-DRAM已完成概念验证（POC），为迈向新世代高容量内存解决方案的重要里程碑。 NEO同时宣布，已获得宏碁集团创办人施振荣领军的策略性投资，将用于后续技术研发与产品化推进。 此次测试芯片由NEO与阳明交大产学创新研究学院共同开发，并于国家实验研究院台湾半导体研究中心完成制作与测试。 NEO今天发布新闻稿说明，3D X-DRAM采用内存单元垂直集成架构，突破传统内存容量扩展限制，可望应用于高带宽内存（HBM）、双倍数据率（DDR）内存，以及人工智能（AI）与高性能计算（HPC）等领域。 相较于现行HBM需逐层堆栈动态随机访问内存（DRAM）芯片的方式，NEO形容其创新做法如同「千层糕」，更接近一体成形的3D结构，有助于提升集成效率并优化成本。 施振荣表示，期待借重台湾的半导体产业的基础与实力，把这项创新技术商品化，将台湾在内存产业的设计能力缺口补起来，让台湾在内存产业也能对全世界有更大的影响力。 许富菖指出，传统DRAM正面临电容微缩极限与容量需求攀升的双重挑战，而3D X-DRAM采用无电容架构，结合成熟的3D NAND制程，提供高容量且可扩展的3D垂直堆栈解决方案。NEO目前正与全球领先的内存与半导体公司积极洽谈潜在的共同开发机会。 NEO成立于2012年，总部设在美国加州圣荷西，聚焦新一代内存与AI运算技术开发，目前已累积超过38项美国专利。（编辑：张良知）1150423