中央消息 （中央社台北22日电）据韩媒报导，涉嫌向中国长鑫存储泄露半导体技术的一名前三星电子研究人员，今天遭首尔法院一审判处有期徒刑7年。韩国检方此前指出，三星电子因此蒙受巨额损失，光是2024年销售额就减少5兆韩元（约新台币1050亿元）。 韩联社报导，首尔中央地方法院刑事审判第28合议庭今天对三星电子半导体技术遭泄案作出一审判决，判处嫌疑人全某有期徒刑7年。 审判庭认定，被泄露的是韩国国家内核技术，全某参与泄露相关技术的过程。全某将大企业投入巨额资金研发的关键技术消息外泄，并让外国单位使用，造成有关企业乃至国家利益受损，应予以严惩。 报导指出，全某曾与三星电子前经理金某一起离职并跳槽至中国半导体企业长鑫存储。全某涉嫌在此过程中将三星电子的动态随机访问内存（DRAM）工艺技术泄露给中方，于去年5月被逮捕起诉。涉案技术为三星电子投入1.6兆韩元资金、全球率先研发出的10纳米级DRAM最新工艺。 经查发现，全某以提供涉案技术相关消息为代价，近6年从长鑫存储方面共获利29亿韩元，包括合约奖励3亿韩元、价值3亿韩元的认股权等。 据报导，针对三星电子半导体技术遭泄案，韩国检方去年12月23日又对5名三星电子前员工提起逮捕起诉，并以相同罪名对中国长鑫存储研发团队的5名员工提起不逮捕起诉。 检方调查显示，长鑫存储成立后，立即聘请三星电子前部长A某担任研发室长。为获取三星电子独有的10纳米级DRAM工艺技术，A某牵头招募各内核工序技术骨干。在此过程中，三星电子前研究员B某将DRAM工艺内核技术PRP（制程配方）亲笔抄录后带离公司，随后跳槽至长鑫存储。此举让长鑫存储完整掌握了当时全球唯一的10纳米级DRAM全套工艺技术。 韩国检方进一步查明，长鑫存储在吸纳多名三星电子前员工后，正式启动DRAM研发。研发期间，还通过合作商额外获取了韩国SK海力士的半导体工艺相关技术。在掌握韩企两大内核半导体技术后，长鑫存储最终于2023年实现10纳米级DRAM量产，成为中国首家、全球第4家掌握该技术的企业。 韩国检方指出，此次技术外泄事件导致韩国内核产业技术流失，造成巨额经济损失。据检方推算，三星电子仅2024年销售额就减少5兆韩元。若叠加该事件对韩国整体经济的后续负面影响，总损失额至少达数十兆韩元。（编辑：杨升儒/邱国强）1150422 选择与事实站在一起，您的每一份赞助，都是守护新闻自由的力量 下载中央社「一手新闻」APP，即时掌握最新消息 本网站之文本、图片及影音，非经授权，不得转载、公开播送或公开传输及利用。