- 为3D环绕式闸极（Gate-All-Around）晶体管打造原子级微结构的半导体制造设备 - Precision™ Selective Nitride PECVD在保持浅沟槽隔离完整性的同时降低寄生电容，大幅提升芯片功耗效率 - Trillium™ ALD以复杂的金属闸极堆栈包覆硅纳米片，实现为广泛AI运算应用优化的晶体管 - 多家大型晶圆代工厂/逻辑芯片制造商将新设备应用于2纳米及以下制程 在材料工程领域引领半导体产业的应用材料公司（Applied Materials, Inc., Nasdaq AMAT，总部位于美国加州圣塔克拉拉，总裁暨首席执行官Gary E. Dickerson）于当地时间4月8日发表了两款半导体制造设备，用于打造全球最先进逻辑芯片的极细微结构。通过以原子级精度控制材料沉积，借由量产速度更快、功耗效率更高的晶体管，来维持全球AI基础设施的扩张步伐。 在AI运算需求激增的背景下，半导体产业正挑战微缩极限，以从处理器芯片内搭载的数千亿个晶体管中，萃取出更高的能源效率表现。为因应此挑战，全球顶尖的逻辑芯片制造商正于2纳米及更先进节点导入新型的环绕式闸极（GAA）晶体管。虽然转向GAA能在相同功耗下大幅提升性能，但实现此目标的制程复杂度却急遽增加。为了形成GAA晶体管内部的复杂3D结构，需要超过500道工序，其中许多步骤需要在接近原子尺寸的严苛公差范围内，具备前所未有的精度、重现性及控制力的沉积技术。 应用材料公司今日发表的两款半导体制造设备，运用材料创新来形成GAA晶体管所使用的极复杂微细形状。这些新技术实现了对先进芯片性能与功耗效率具有决定性影响的关键金属与绝缘材料的沉积。 应用材料公司半导体产品事业群总裁Prabu Raja表示：「产业正迎来非线性剧变的时代，传统依赖微影技术的芯片微缩已不再足够。最先进的逻辑节点已达到埃米（Angstrom）等级，芯片的性能与功耗效率如今高度仰赖材料。应用材料公司凭借自创立以来在材料工程领域的领先优势，划