美国爱达荷州博伊西，2026年5月12日 — 美光科技（Micron Technology, Inc.，纳斯达克代码：MU）今日宣布，已开始向主要服务器生态系统合作伙伴提供256GB DDR5注册型双列直插式内存模块（RDIMM）的样品。本产品基于美光最先进的1γ（1-gamma）技术，实现高达9,200 MT/s的速度*1，比目前量产的模块快40%以上。该模块采用先进的3D堆栈（3DS）封装技术，利用硅穿孔（TSV）连接多个内存晶粒。结合美光的1γ DRAM，为扩展下一代AI系统提供了必要的容量、速度和能源效率。单一256GB模块与使用两组128GB模块相比，可降低超过40%的运作功耗，为现今的AI数据中心实现更高效率*2。 生态系统合作伙伴的验证 美光正与主要的生态系统合作伙伴合作，在其现行及下一代服务器平台上验证256GB 1γ DDR5 RDIMM。此项共同验证确保了与广泛平台的兼容性，并加速了建构大规模AI和HPC（高性能计算）基础设施的数据中心客户将这些平台导入生产环境的过程。 美光云端内存事业部资深副总裁兼总经理Raj Narasimhan表示：「容量、带宽和功耗是决定AI效率的关键因素。美光的256GB DDR5 RDIMM将大幅提升服务器性能。此解决方案基于采用先进3DS和TSV封装的1γ DRAM，实现了业界领先的速度和能源效率，协助数据中心架构师更有效地扩展其AI基础设施。」 应对AI时代的内存需求 大型语言模型（LLM）、代理式AI、即时推论以及高内核数CPU工作负载的迅速普及，使得企业服务器对扩大内存容量、更宽的带宽和提升能源效率的需求比以往任何时候都更加强烈。美光的256GB DDR5 RDIMM正面应对这些要求，使服务器架构师、超大规模数据中心业者和平台合作伙伴能够在现代数据中心基础设施的散热和电力限制范围内，最大化每个插槽的内存容量。 样品提供与上市时间 美光基于1γ技术的256GB DDR5 RDIMM现已向主要的服务器生态系统合作伙伴提供样品，以供平台验证。有关美光数据中心解决方案的更多信息，请访问美光数据中心内存网页。 *1：性能优势是通过比较9,200 MT/s和6,400 MT/s的产品计算得出。 *2：运作功耗以瓦特为单位测量。计算方式为比较两个各以9.7W运作的128GB模块（总计19.4W）与一个以11.1W运作的单一256GB模块。