日本科学技术振兴机构（JST）决定在2025年度的A-STEP实作支持计划中，支持源自东京大学的新创公司 Gaianixx。Gaianixx 正在开发独家的「多能性中间膜」，旨在实现压电组件的高性能化与低成本化。传统磊晶成长技术中，基板与薄膜间的晶格尺寸差异常导致晶体缺陷，而该公司的中间膜技术能解决此问题。此次开发目标是创建 PZT 等压电材料单晶化的量产技术。该技术亦可应用于功率半导体等次世代组件，预计将对提升能源效率做出重大贡献。