このサービスはどのような課題を解決するのか？

従来評価が困難だった半導体実デバイス内部の接合強度を、直接定量評価できるようにする。これにより、ハイブリッド接合の信頼性向上や不良原因の解明が可能になる。

使用されている主な技術は何か？

横浜国立大学井上研究室が体系化したナノインデンテーション法と、TRCが開発した接合界面を選択的に露出させる前処理技術（研磨・エッチング）を組み合わせている。

半導体メーカーおよび材料メーカー。特に先端パッケージ技術の開発を支援する。

従来のDCB法では単純化したモデル試料やウェハ端部での評価に限られたが、本サービスは実際の多層構造やバッファ層を含む実デバイス構造を反映した評価が可能。

接合強度ばらつきの定量化、接合不良発生箇所とメカニズムの特定、接合条件最適化への直接フィードバックが可能となり、界面評価技術の高度化を推進する。

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これまで評価できなかった「半導体実デバイス内部の接合強度」を直接定量化
東レリサーチセンター(TRC)は、半導体ハイブリッド接合の実デバイス内部の接合強度を直接定量評価する分析サービスを開始した。独自の前処理技術とナノインデンテーション法を組み合わせ、従来困難だった内部界面の強度評価を可能にし、半導体の信頼性向上に貢献する。
Source: PR TIMES
Date: Wed Jun 10 2026 20:10:01 GMT+0900 (Japan Standard Time)

東レリサーチセンター(TRC)は、半導体ハイブリッド接合の実デバイス内部の接合強度を直接定量評価する分析サービスを開始した。独自の前処理技術とナノインデンテーション法を組み合わせ、従来困難だった内部界面の強度評価を可能にし、半導体の信頼性向上に貢献する。

Citation: これまで評価できなかった「半導体実デバイス内部の接合強度」を直接定量化 (Wed Jun 10 2026 20:10:01 GMT+0900 (Japan Standard Time)), PR TIMES
Source: PR TIMES
Date: Wed Jun 10 2026 20:10:01 GMT+0900 (Japan Standard Time)

東レリサーチセンター(TRC)は、半導体ハイブリッド接合の実デバイス内部の接合強度を直接定量評価する分析サービスを開始した。独自の前処理技術とナノインデンテーション法を組み合わせ、従来困難だった内部界面の強度評価を可能にし、半導体の信頼性向上に貢献する。

Q: このサービスはどのような課題を解決するのか？: A: 従来評価が困難だった半導体実デバイス内部の接合強度を、直接定量評価できるようにする。これにより、ハイブリッド接合の信頼性向上や不良原因の解明が可能になる。
Q: 使用されている主な技術は何か？: A: 横浜国立大学井上研究室が体系化したナノインデンテーション法と、TRCが開発した接合界面を選択的に露出させる前処理技術（研磨・エッチング）を組み合わせている。
Q: このサービスの対象顧客は？: A: 半導体メーカーおよび材料メーカー。特に先端パッケージ技術の開発を支援する。
Q: 従来の評価手法と何が違うのか？: A: 従来のDCB法では単純化したモデル試料やウェハ端部での評価に限られたが、本サービスは実際の多層構造やバッファ層を含む実デバイス構造を反映した評価が可能。
Q: この技術の今後の展望は？: A: 接合強度ばらつきの定量化、接合不良発生箇所とメカニズムの特定、接合条件最適化への直接フィードバックが可能となり、界面評価技術の高度化を推進する。