東京エレクトロンデバイスとアイテス、SiCデバイスの潜在欠陥をウェーハレベルで可視化する検査ソリューションで協業

AI サマリー（NQ 加工済み）

東京エレクトロンデバイス（TED）とアイテスは、SiCデバイス向けの潜在欠陥検査ソリューション分野で協業する。両社は、SiCウェーハ内の潜在的な結晶欠陥をUVレーザー照射により拡張・可視化する新製品「SiC潜在欠陥検査装置／通電劣化シミュレーター ITS-SCX100」を開発・販売する。同製品は2026年9月に受注開始を予定しており、材料やプロセス評価のリードタイムを数カ月から大幅に短縮することを目指す。この協業により、TEDは装置・システム側の企画・提供を、アイテスは測定・データ解析を担当し、パワーエレクトロニクス分野などの高信頼デバイス開発を支援する。