STマイクロエレクトロニクス、AIサーバからロボティクスまで、幅広い高性能アプリケーションの電力効率向上に貢献する新しいGaN製品を発表

よくある質問

Q: STマイクロエレクトロニクスが発表した新製品の主な特徴は何ですか？

A: 700Vの定格電圧に対応したGaN（窒化ガリウム）ベースのパワー半導体で、高い電力密度、低いスイッチング損失、逆回復電荷ゼロといった特性により、システムの小型・軽量化と高効率化を実現します。

Q: この製品はどのような用途を想定していますか？

A: AIサーバ、ロボティクス、産業用電源、スマートグリッド、および家電製品を含む先進的なコンスーマ向け電源アプリケーションなど、高性能な電力変換が求められる分野を想定しています。

Q: 従来のシリコン技術と比較したメリットは何ですか？

A: 低い導通損失や高周波動作時の極めて低いスイッチング損失により、磁性部品や受動部品の小型化が可能となり、よりコンパクトなパワー段と高い電力密度を実現できます。

Q: 製品のラインナップと価格はどのようになっていますか？

A: 7品種のGaN HEMTが提供され、1000個購入時の単価は約0.63ドルから2.25ドルです。現在量産中で、STのeStoreや販売代理店から入手可能です。

Q: パッケージングにはどのような工夫がありますか？

A: DPAK、TO-LL、PowerFLATなどの実績ある表面実装型パッケージを採用しており、特にTO-LLおよびPowerFLATはノイズ耐性を高めるケルビン・ソース端子を備えています。