STマイクロエレクトロニクス、電力供給アプリケーションの消費電力と基板面積を削減する低抵抗パワーMOSFETを発表

よくある質問

Q: Smart STripFET F8テクノロジーの主な利点は何ですか？

A: 従来の技術に比べてトレンチ・ゲート構造を改良し、オン抵抗（導通損失）の大幅な削減とダイ・サイズの小型化を実現しています。これにより、電力供給システムの効率向上と省スペース化が可能です。

Q: この新製品はどのようなアプリケーションに適していますか？

A: 主に車載機器の配電システムや、バッテリ・マネージメント・システム（BMS）に最適です。大電流を扱う回路での電力損失を抑え、EVの走行距離延長に貢献します。

Q: 車載用の信頼性基準を満たしていますか？

A: はい、AEC-Q101に準拠しています。さらに、自動光学検査に対応したウェッタブル・フランク・パッケージを採用しており、車載品質の厳しい要求に応えます。