株式会社レゾナック（代表取締役社長CEO：髙橋秀仁、以下、当社）は、徳山事業所（山口県周南市）において、半導体回路のエッチング工程に使用される「高純度フッ化水素ガス（HFガス）」の製造を2026年内に新たに開始し、川崎事業所と合わせた国内２拠点体制にする予定です。本製品は、近年注目されている、半導体の微細な回路を高精度に加工する「クライオエッチング」をはじめとする先端技術において需要が高まっており、当社は安定供給体制の強化を図ります。 高純度ガスは、半導体ウエハーの回路形成（前工程）で使われる材料であり、近年の半導体市場の拡大に伴い需要が増加しています。特にデータセンターやAI用途の拡大を背景に、半導体チップを3次元的に高密度に積層する構造の採用が進んでおり、積層された多数の層を貫く微細で深い回路を高精度に形成する技術が求められています。 こうしたニーズに対応する技術として注目されているのがクライオエッチングです。クライオエッチングは、ウエハーを極低温に冷却した状態でエッチングを行うことで側壁を保護しながら加工でき、従来よりも深く滑らかな微細構造を高精度に形成できる技術です。 高純度フッ化水素ガスは、この先端エッチングプロセスにおいて酸化膜の除去などに使用される重要な材料であり、クライオエッチング技術の普及に伴い、より高い純度と安定した供給が求められています。本製品は、こうした先端プロセスの要求に対応し、微細で深い回路構造の形成を支える材料として、今後需要の拡大が見込まれています。 このような市場環境を踏まえ、当社は需要拡大に対応できる供給体制の強化を目的として、徳山事業所での本製品の年内製造開始を予定しています。当社は、半導体製造工程で使用される高純度ガスを幅広く展開しており、エッチングや成膜工程に対応した製品群を取り揃えています。 今後も本取り組みを通じて、拡大する半導体材料市場に対応するとともに、顧客ニーズに迅速に応え、半導体産業の発展にも寄与してまいります。