6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功
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Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の薄膜を6インチSiウエハ上に成膜することに成功しました。これにより、パワーデバイスの量産に必要な大口径基板の実現に大きく前進し、2027年にはサンプル試作を目指します。