Si基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜の成膜に成功
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Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の単結晶膜をSi基板上に成膜することに成功しました。これは、SiCやGaNを超えるバンドギャップを持つr-GeO₂の実用化に向けた重要な技術的進展です。