6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウム(r-GeO₂)の成膜に成功
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AI サマリー（NQ 加工済み）
Patentix株式会社は、株式会社ジェイテクトサーモシステムと共同で、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の薄膜を6インチSiウエハ上に成膜することに成功しました。これにより、パワーデバイスの量産に必要な大口径基板の実現に大きく前進し、2027年にはサンプル試作を目指します。
AI 分析
よくある質問
- Q: Patentix株式会社とジェイテクトサーモシステムが共同で成膜に成功した材料は何ですか
- A: ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）の薄膜を6インチSiウエハ上に成膜することに成功しました
- Q: Patentixとジェイテクトサーモシステムが使用した基板のサイズは何インチですか
- A: 6インチSi基板上でルチル型二酸化ゲルマニウムの薄膜成膜に成功しています
- Q: r-GeO₂の薄膜成膜に成功した企業はどの2社ですか
- A: Patentix株式会社と株式会社ジェイテクトサーモシステムが共同で成膜に成功しました
- Q: 6インチSiウエハ上でのr-GeO₂成膜が成功したことで何が可能になりますか
- A: パワーデバイスの量産に必要な大口径基板の実現に大きく前進します
- Q: Patentixとジェイテクトサーモシステムがサンプル試作を目標とする年はいつですか
- A: 2027年にルチル型二酸化ゲルマニウムのサンプル試作を目指しています