デプレッション型r-GeO₂ MOSFETのトランジスタ動作実証に成功
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AI サマリー（NQ 加工済み）
Patentix株式会社が、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）を用いたデプレッション型MOSFETを作製し、トランジスタ動作の実証に成功した。これは高効率なパワー半導体実現の基盤となる重要な成果である。
AI 分析
よくある質問
- Q: r-GeO₂とは何ですか？
- A: ルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO₂）は、炭化ケイ素（SiC）や窒化ガリウム（GaN）よりも大きなバンドギャップ（4.68eV）を有し、p型/n型の両伝導性が理論的に予測されている次世代のパワー半導体材料です。
- Q: 今回の成果のポイントは何ですか？
- A: 次世代パワー半導体材料として注目されているr-GeO₂でデプレッション型MOSFETを作製し、そのトランジスタ動作実証に成功したことです。これは、今後のエンハンスメント型MOSFETの実現に向けた重要な成果です。
- Q: 今後の展望について教えてください。
- A: p型r-GeO₂の作製技術を確立するとともに、同技術を適用したエンハンスメント型MOSFETの動作実証に向けた検討を進めていく予定です。