世界初、半導体メモリ素子DRAMセルの熱とエントロピーを単電子スケールで同時測定
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AI サマリー（NQ 加工済み）
NTTは、室温で動作するDRAMセルにおいて、世界で初めて電子1個スケールでの熱とエントロピーの同時測定に成功しました。これにより情報処理の最小消費エネルギーの理論限界の実験的検証が可能になり、省エネルギーデバイス開発への応用が期待されます。