次世代パワー半導体体材料として期待されるr-GeO2(ルチル型二酸化ゲルマニウム)の開発・製造・販売をするPatentix株式会社に出資
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三菱UFJキャピタルが、次世代パワー半導体材料「r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）」を開発する立命館大学発スタートアップのPatentix株式会社に出資しました。