次世代パワー半導体体材料として期待されるr-GeO2(ルチル型二酸化ゲルマニウム)の開発・製造・販売をするPatentix株式会社に出資
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AI サマリー（NQ 加工済み）
三菱UFJキャピタルが、次世代パワー半導体材料「r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）」を開発する立命館大学発スタートアップのPatentix株式会社に出資しました。
AI 分析
よくある質問
- Q: Patentix株式会社とはどのような会社ですか？
- A: 立命館大学発のスタートアップで、次世代パワー半導体材料であるルチル型二酸化ゲルマニウム（r-GeO2）の研究開発・製造を行っています。
- Q: r-GeO2（ルチル型二酸化ゲルマニウム）の特徴は何ですか？
- A: P型・N型両方の特性を持ち、広いバンドギャップを持つため、高効率・省エネルギーなパワー半導体の実現が期待される次世代材料です。
- Q: 今回の出資の目的は何ですか？
- A: Patentixが成功した安価なSi基板上へのr-GeO2薄膜作製技術の社会実装を支援し、日本の半導体産業の競争力強化と脱炭素化に貢献するためです。